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臺積電宣布，與意法半導體合作加速市場(chǎng)采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導體預計今年晚些時(shí)候將首批樣品交給其主要客戶(hù)。臺積電與意法半導體將合作加速氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并將分離式與整合式氮化鎵元件導入市常透過(guò)此合作，意法半導體將采用臺積公司的氮化鎵制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)其氮化鎵產(chǎn)品。
整個(gè)硅產(chǎn)業(yè)來(lái)講，氮化鎵只占整個(gè)半導體材料中的很小一部分，射頻領(lǐng)域是它的一個(gè)主要應用方向，目前仍舊主要應用在軍工領(lǐng)域，2019年氮化鎵行業(yè)市場(chǎng)規模約為9.34億元，未來(lái)隨著(zhù)5G網(wǎng)絡(luò )推廣，市場(chǎng)規模將會(huì )迅速增長(cháng)。
氮化鎵屬于第三代半導體材料（又稱(chēng)為寬禁帶半導體材料）。氮化鎵的禁帶寬度、電子飽和遷移速度、擊穿場(chǎng)強和工作溫度遠遠大于 Si和 GaAs，具有作為電力電子器件和射頻器件的先天優(yōu)勢。但是從市場(chǎng)應用來(lái)看，氮化鎵還處于初級階段，隨著(zhù)氮化鎵技術(shù)的不斷成熟，應用領(lǐng)域的拓展不斷加速，未來(lái)我國氮化鎵行業(yè)市場(chǎng)投資將不斷加速，預計未來(lái)幾年的投資增速保持高速發(fā)展。
