全球存儲芯片行業(yè)進(jìn)入復蘇周期 價(jià)格不斷上漲 我國國產(chǎn)化進(jìn)程加速下迎新機遇

一、行業(yè)發(fā)展概述

根據觀(guān)研報告網(wǎng)發(fā)布的《中國存儲芯片行業(yè)發(fā)展深度研究與投資趨勢調研報告（2024-2031年）》顯示，存儲芯片又稱(chēng)為半導體存儲器，主要是指以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，通常用于保存二進(jìn)制數據的記憶設備，是現代數字系統的重要組成部分。存儲芯片具有存儲速度快、體積小等特點(diǎn)，廣泛運用于U盤(pán)、內存、消費電子、固態(tài)存儲硬盤(pán)、智能終端等領(lǐng)域。目前對存儲行業(yè)而言，存儲芯片主要以?xún)煞N方式實(shí)現產(chǎn)品化；一是ASIC技術(shù)實(shí)現存儲芯片，二是FPGA 技術(shù)實(shí)現存儲芯片。其中ASIC(專(zhuān)用集成電路)在存儲和網(wǎng)絡(luò )行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛應用。

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二、市場(chǎng)觸底反彈，目前存儲芯片行業(yè)進(jìn)入復蘇周期

進(jìn)入2022年，受受終端需求不振和產(chǎn)業(yè)鏈庫存高企影響，全球存儲行業(yè)經(jīng)歷了一場(chǎng)“史無(wú)前例”的危機，例如三星電子利潤暴跌97%，SK海力士創(chuàng )紀錄虧損，美光科技、西部數據等存儲大廠(chǎng)庫存攀升，存儲芯片價(jià)格跌入谷底等。

再上述環(huán)境下，自2023年一季度開(kāi)始，三星、SK 海力士、美光、西部數據和鎧俠等廠(chǎng)商紛紛宣布減少產(chǎn)能，廠(chǎng)商降低關(guān)于存儲業(yè)務(wù)的資本性支出，到2023年第三季度隨著(zhù)減產(chǎn)效應開(kāi)始奏效，供需關(guān)系持續改善。各大廠(chǎng)商不約而同的減產(chǎn)計劃促使存儲周期提前，從2023下半年存儲價(jià)格開(kāi)始反彈，存儲市場(chǎng)重新步入上行周期。據相關(guān)行業(yè)數據顯示，上游存儲晶圓價(jià)格自2023 年第三季度開(kāi)始觸底反彈，至2024 年3 月已上漲30%。

2024年以來(lái)，當前全球AI浪潮推動(dòng)存儲需求爆發(fā)，疊加終端需求逐步回暖，晶圓代工產(chǎn)能利用率回升，存儲芯片市場(chǎng)加速復蘇，行業(yè)景氣度持續攀升，價(jià)格上漲幅度有所擴大。數據顯示，2024一季度全球半導體銷(xiāo)售額同比+15%，其中存儲表現亮眼，同比增長(cháng)86%。

目前DRAM和NAND Flash是存儲芯片市場(chǎng)的主流產(chǎn)品，其價(jià)格均出現了顯著(zhù)上漲。據相關(guān)機構的數據顯示，DRAM和NAND Flash的價(jià)格在2024年持續上漲，且漲幅均超過(guò)了市場(chǎng)預期。2024年第一季度DRAM芯片合約價(jià)格上漲多達20%，NAND閃存上漲多達23%—28%。到2024年第二季度DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%，NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，延續了第一季度的強勁勢頭。

在全球市場(chǎng)的帶動(dòng)下，目前我國存儲芯片市場(chǎng)也顯示出正在逐步復蘇態(tài)勢。數據顯示，2023年我國存儲芯片市場(chǎng)規模約為5400億元。預計2024年我國存儲芯片市場(chǎng)規模將恢復增長(cháng)至5513億元。

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除了上述資料佐證外，行業(yè)頭部企業(yè)的業(yè)績(jì)實(shí)現增長(cháng)也證明了市場(chǎng)回暖這一點(diǎn)。從國際巨頭來(lái)看，三星電子的2024年第一季度營(yíng)業(yè)利潤激增931%，接近10倍增長(cháng)，這一驚人的增長(cháng)無(wú)疑是震撼行業(yè)的一大“深水炸彈”，引起了全球科技界的廣泛關(guān)注。這主要是由于存儲芯片價(jià)格的大幅回升，作為全球最大的存儲芯片生產(chǎn)商，三星自然收獲了巨大的經(jīng)濟紅利。

全球第二大存儲芯片制造商SK海力士也發(fā)布了2024年第一季度的財報，顯示盈利超過(guò)150億人民幣，而去年同期該公司還虧損了136億人民幣，其業(yè)績(jì)同樣非常亮眼。國際其他存儲芯片巨頭如鎧俠、西部數據等也提交了優(yōu)秀的季度報告，并預計第二季度價(jià)格將進(jìn)一步上漲20-25%。

從國內部分頭部廠(chǎng)商方面來(lái)看：瀾起科技發(fā)布2024年半年報，上半年公司實(shí)現營(yíng)業(yè)收入16.65億元，同比增長(cháng)79.49%；凈利潤為5.93億元，同比增長(cháng)624.63%。瀾起科技表示，2024年上半年，一方面，行業(yè)需求實(shí)現恢復性增長(cháng)，DDR5（新一代動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器）下游滲透率提升且DDR5子代迭代持續推進(jìn)，帶動(dòng)公司內存接口及模組配套芯片銷(xiāo)售收入同比大幅增長(cháng)；另一方面，公司部分AI高性能“運力”芯片新產(chǎn)品開(kāi)始規模出貨，為公司貢獻新的業(yè)績(jì)增長(cháng)點(diǎn)。

江波龍半年報表示，公司2024年上半年實(shí)現營(yíng)業(yè)收入90.39億元，較上年同期增長(cháng)143.82%；凈利潤為5.94億元，同比增長(cháng)199.64%。佰維存儲公告披露，2024年上半年公司上半年實(shí)現營(yíng)業(yè)收入34.41億元，同比增長(cháng)199.64%；凈利潤2.83億元，同比扭虧為盈。在半年報中，佰維存儲聲稱(chēng)，數據的持續增長(cháng)將驅動(dòng)存儲產(chǎn)業(yè)規模不斷提升，國產(chǎn)化率的提高將驅動(dòng)國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)鏈的迅速發(fā)展，AI技術(shù)革命將大大提升對高端存儲器的需求，以上三個(gè)要素為國內存儲產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了巨大的發(fā)展機遇。

此外存儲行業(yè)龍頭企業(yè)兆易創(chuàng )新上半年業(yè)績(jì)也實(shí)現回暖，2024年上半年實(shí)現營(yíng)業(yè)收入36.09億元，同比增長(cháng)21.69%；凈利潤為5.17億元，同比增長(cháng)53.88%。公司表示，經(jīng)歷2023年市場(chǎng)需求低迷和庫存逐步去化后，2024年上半年消費、網(wǎng)通市場(chǎng)出現需求回暖，帶動(dòng)公司存儲芯片的產(chǎn)品銷(xiāo)量和營(yíng)收增長(cháng)。

三 、DRAM和NAND Flash這兩種存儲技術(shù)各自占據市場(chǎng)重要份額

存儲芯片可分為易失性存儲芯片（斷電后易丟失數據）和非易失性存儲芯片（斷電后仍保存數據）兩類(lèi)。如下圖所示，常見(jiàn)的易失性存儲芯片有 DRAM 和 SRAM。非易失性存儲芯片包括 Flash（閃存）、ROM（只讀存儲器）等。

易失性存儲芯片可分為靜態(tài)隨機存儲器（簡(jiǎn)稱(chēng)SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機存儲器（簡(jiǎn)稱(chēng)DRAM）兩類(lèi)，SRAM 不需要周期性地刷新，速度比較快，但成本也較高，是利基存儲；DRAM需要周期性地刷新，速度較慢，但成本較低，是大宗存儲。

非易失性存儲芯片主要包括掩膜型只讀存儲器、可編程只讀存儲器、快閃存儲器（簡(jiǎn)稱(chēng)Flash）。目前快閃存儲器的主流產(chǎn)品為NOR Flash 和NAND Flash，其中NAND 是大宗存儲，NOR 是利基存儲。

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目前在存儲芯片市場(chǎng)中，國內存儲廠(chǎng)商參與生產(chǎn)的存儲芯片產(chǎn)業(yè)主要分為DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器）和NANDFlash（閃存存儲器）兩大類(lèi)產(chǎn)品。這兩種存儲技術(shù)各自占據了市場(chǎng)的重要份額，共同構成了存儲芯片行業(yè)的基石。其中還DRAM作為市場(chǎng)規模的佼佼者，其市場(chǎng)占比高達約55.9%。NAND Flash是一種非易失性存儲器，即使在斷電的情況下，也能夠長(cháng)期保存數據，市場(chǎng)占比約為44.0%。

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2024年以來(lái)DRAM營(yíng)收高增，漲價(jià)趨勢不改。根據相關(guān)數據顯示，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴張帶動(dòng)多數業(yè)者營(yíng)收成長(cháng)，2024年第二季整體DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達229億美元，季增24.8%。

存儲產(chǎn)品價(jià)格的持續上漲主要受兩重因素推動(dòng)，一是數據中心對服務(wù)器DRAM的高需求，以及AI手機、AI PC等創(chuàng )新AI終端設備內存配置提升的需求；二是HBM（高帶寬存儲器）供不應求，推動(dòng)DRAM買(mǎi)方轉為積極采購。

HBM(高帶寬存儲器)的走紅也是一個(gè)積極因素。由于HBM支持GPU與CPU之間的高速數據傳輸，其應用場(chǎng)景集中在高性能服務(wù)器的GPU顯存，小部分應用于CPU內存芯片。2023年上半年，HBM則乘著(zhù)GPU的東風(fēng)狂漲500%。但因HBM技術(shù)門(mén)檻高，出貨量到現在也不算大。

四、下游應用不斷拓展，服務(wù)器、手機、PC仍為存儲三大應用

存儲芯片是終端電子產(chǎn)品的核心部件，目前已廣泛融入消費電子、汽車(chē)電子以及智能家居等多個(gè)市場(chǎng)領(lǐng)域。預計在5G通信、云計算以及AI等新興產(chǎn)業(yè)推動(dòng)下，存儲芯片的市場(chǎng)需求將呈現出顯著(zhù)的增長(cháng)態(tài)勢。

一是AI服務(wù)器帶來(lái)存儲芯片的全新增量。對比普通服務(wù)器，AI服務(wù)器對存儲器的算力的需求更高，需要普通服務(wù)器8倍量的DRAM和3倍量的NAND。AI應用如Chat GPT、Bing、文心一言等爆火，全球互聯(lián)網(wǎng)廠(chǎng)商在A(yíng)IGC相關(guān)領(lǐng)域加大投資。綜合自動(dòng)駕駛技術(shù)、AIoT與邊緣運算的需求上升，AI服務(wù)器需求有望快速增長(cháng)。2023年我國大陸AI服務(wù)器存儲價(jià)值市場(chǎng)規模均值為21.2億美元。

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二是汽車(chē)市場(chǎng)景氣度上升，對車(chē)用存儲器容量、處理速度以及算法要求提升，驅使存儲器技術(shù)加速更新迭代，有望實(shí)現銷(xiāo)量較大增長(cháng)，從而帶動(dòng)存儲芯片大幅增長(cháng)。2023年汽車(chē)市場(chǎng)景氣度上升，對多種車(chē)用存儲器的需求與技術(shù)要求提升。根據中國汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì )的數據顯示，2023年我國汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)累計完成3016.1萬(wàn)輛和3009.4萬(wàn)輛，同比別增長(cháng)11.6%和12%，產(chǎn)銷(xiāo)量創(chuàng )歷史新高，實(shí)現兩位數較高增長(cháng)。2024年1-6月，我國汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)分別完成1389.1萬(wàn)輛和1404.7萬(wàn)輛，同比分別增長(cháng)4.9%和6.1%。

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目前NAND和DRAM的增長(cháng)點(diǎn)來(lái)自智能駕駛艙、ADAS（高級駕駛輔助系統）系統的升級以及配合5G與AI自動(dòng)駕駛的需求落地。據了解，智能駕駛艙主要使用NAND與DRAM產(chǎn)品，ADAS主要運用DRAM、高密度NOR Flash產(chǎn)品以及用于智能傳感器的SLC Nand產(chǎn)品。ADAS和AI自動(dòng)駕駛對DRAM的容量、帶寬以及計算能力的要求不斷提高，同時(shí)需要大容量、高性能NAND支持信息儲存功能。

三是新型存儲器產(chǎn)品衍生提升存儲控制芯片價(jià)值。隨著(zhù)云計算、大數據、AI發(fā)展及存儲器需求增長(cháng)，半導體存儲器出現新型產(chǎn)品形態(tài)，如計算型、分布式存儲和持久內存等。這些新型存儲器對存儲控制芯片的架構、功耗、多通道并行管理和數據安全要求更高，提升了存儲控制芯片在存儲器產(chǎn)品中的價(jià)值。

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目前服務(wù)器、手機、PC仍為存儲三大應用。數據顯示，2023年，以PC應用為主的cSSD消耗了NAND Flash的26%，手機產(chǎn)品消耗了NAND Flash產(chǎn)能的34%，以服務(wù)器應用為主eSSD消耗了NAND Flash總產(chǎn)能的14%，三類(lèi)應用占據NAND Flash總產(chǎn)能的74%。

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四、國產(chǎn)化進(jìn)程加速，為行業(yè)帶來(lái)新發(fā)展機遇

存儲芯片是未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)、大數據、云計算等新興領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵元件，因此存儲芯片的自主可控對我國新一輪信息化進(jìn)程的推進(jìn)具有十分重要的戰略意義。但眾所周知，芯片技術(shù)一直是中國科技進(jìn)步的短板。盡管?chē)鴥韧度刖薮蟮娜肆?、物力和財力，誕生了華為海思、中芯國際、長(cháng)江存儲等杰出企業(yè)，但我國每年仍需進(jìn)口高達數千億美元的芯片，國產(chǎn)化率不足10%。到2023年我國芯片進(jìn)口總額達到了3494億美元，較2022年減少了15.4%，其中存儲芯片的進(jìn)口額約為900億美元。

同時(shí)值得注意的是，到了2023年年底，存儲芯片的價(jià)格開(kāi)始上漲，市場(chǎng)預測2024年的價(jià)格將上升約50%。而如果進(jìn)口量保持不變，2024年我國的存儲芯片進(jìn)口成本將增加450億美元，總額達到1350億美元，約合人民幣9780億，幾乎達到萬(wàn)億。這將對我國的電子信息產(chǎn)業(yè)乃至整個(gè)經(jīng)濟構成巨大壓力。這一數據凸顯了我國存儲芯片國產(chǎn)化替代的緊迫性。

在此背景下，近年來(lái)我國政府加大了對半導體產(chǎn)業(yè)的支持力度，推動(dòng)國內存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。國內存儲廠(chǎng)商近年來(lái)分別在DRAM與NAND技術(shù)追趕上進(jìn)展迅速，逐步向海外主流水平靠近，國產(chǎn)廠(chǎng)商市場(chǎng)份額也在逐步提升。

國內存儲芯片企業(yè)在技術(shù)上取得了顯著(zhù)突破。例如一些企業(yè)成功研發(fā)出了高性能的DRAM和NAND Flash產(chǎn)品，并在制程工藝上不斷追趕國際先進(jìn)水平。中國科學(xué)院在光存儲技術(shù)上取得了突破，研發(fā)出1.6PB超大容量的三維光盤(pán)存儲器，這一創(chuàng )新為數據存儲領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的變化。這些技術(shù)突破為國產(chǎn)替代提供了堅實(shí)的基礎。同時(shí)隨著(zhù)國內廠(chǎng)商技術(shù)的不斷突破，存儲芯片市場(chǎng)有望迎來(lái)發(fā)展黃金期。

隨著(zhù)技術(shù)的成熟，國內存儲芯片企業(yè)開(kāi)始實(shí)現產(chǎn)品的量產(chǎn)。例如長(cháng)江存儲成功量產(chǎn)了全球最先進(jìn)的232層3D NAND Flash產(chǎn)品，這標志著(zhù)國內企業(yè)在NAND Flash領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力已經(jīng)達到國際領(lǐng)先水平。同時(shí)其他企業(yè)也在DRAM等領(lǐng)域實(shí)現了產(chǎn)品的量產(chǎn)，進(jìn)一步推動(dòng)了國產(chǎn)替代的進(jìn)程。

目前國內有三家主要的存儲芯片制造商，分別是長(cháng)江存儲、長(cháng)鑫存儲、福建晉華、兆易創(chuàng )新等。其中2017-2023年長(cháng)江存儲在全球存儲芯片市場(chǎng)的份額從0增至10%以上，成為存儲芯片市場(chǎng)上不容忽視的勢力之一；企業(yè)兆易在NOR Flash 全球市場(chǎng)中，其創(chuàng )新占據前三，同時(shí)握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力，扮演中國半導體存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要角色。（WW）