1、高帶寬存儲器(HBM)概述
根據觀(guān)研報告網(wǎng)發(fā)布的《中國高帶寬存儲器(HBM)行業(yè)發(fā)展趨勢研究與投資前景預測報告(2024-2031年)》顯示,HBM (High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器,是易失性存儲器的一種。作為全新一代的CPU/GPU內存芯片,HBM本質(zhì)上是指基于2.5/3D先進(jìn)封裝技術(shù),把多塊DRAM堆疊起來(lái)后與GPU芯片封裝在一起,實(shí)現大容量,高位寬的DDR組合陣列。
高帶寬存儲器(HBM)產(chǎn)業(yè)鏈圖解
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2、高帶寬存儲器(HBM)技術(shù)多年迭代
隨著(zhù)集成電路工藝技術(shù)的發(fā)展,3D和2.5D系統級封裝(SiP)和硅通孔(TSV)技術(shù)日益成熟,為研制高帶寬、大容量的存儲器產(chǎn)品提供了基礎。國際電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì )(JEDEC)先后制定3代、多個(gè)系列版本的高帶寬存儲器(HBM、HBM2、HBM2E、HBM3)標準。
高帶寬存儲器(HBM)技術(shù)迭代
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3、全球HBM行業(yè)規模增速快,中國市場(chǎng)超過(guò)20億元
近年來(lái),隨著(zhù)市場(chǎng)對高帶、低功耗和高度可擴展內存需求不斷增長(cháng),再加上人工智能普及及電子設備小型化、汽車(chē)和其他應用領(lǐng)域需求持續增加的趨勢下,全球HBM行業(yè)規模增速快。根據數據顯示,2023年,全球HBM市場(chǎng)規模約為20.4億美元,預計2028年或將達到63.2億美元,2023-2028年復合年增長(cháng)率約為25%。在中國市場(chǎng),2023年國內HBM市場(chǎng)規模約為25.3億元。
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4、SK Hynix、三星、美光三足鼎立,HBM行業(yè)競爭激烈
在市場(chǎng)競爭方面,由于HBM制造工藝包括TSV打孔、電鍍、拋光等前道工藝以及混合鍵合等后道工藝,對設備和材料的要求極高,導致其生產(chǎn)成本也相對較高,所以HBM屬于高技術(shù)門(mén)檻行業(yè),行業(yè)企業(yè)極少。從市占率來(lái)看,全球三大原廠(chǎng)HBM市占率分別為SK Hynix(SK Hynix)50%、三星(Samsung)約40%、美光(Micron)約10%。
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同時(shí),隨著(zhù)HBM技術(shù)迭代,三大原廠(chǎng)也不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng )新,以此搶占更多市場(chǎng)份額。例如,隨著(zhù)越來(lái)越多客戶(hù)導入HBM3,SK Hynix作為目前唯一量產(chǎn)新世代HBM3產(chǎn)品的供應商,其整體HBM市占率可望提升至53%,而三星、美光則預計陸續在2023年底至2024年初量產(chǎn),HBM市占率分別為38%及9%。
目前,我國雖有部分企業(yè)開(kāi)始研究HBM,但距離自主開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)HBM仍然有較大的距離,市場(chǎng)主要由三星及SK Hynix主導,尤其是SK Hynix,在HBM技術(shù)方面居于領(lǐng)先水平,占據較大的市場(chǎng)份額??傮w而言,HBM屬于高技術(shù)門(mén)檻行業(yè),行業(yè)企業(yè)極少,其發(fā)展空間較大,并且有可能受益于高端芯片國產(chǎn)替代的大趨勢、政策支持算力產(chǎn)業(yè)發(fā)展所產(chǎn)生需求的長(cháng)期驅動(dòng)。(WYD)

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