一、全球半導體存儲器發(fā)展前景廣闊，其中中國為最大主要市場(chǎng)
觀(guān)研報告網(wǎng)發(fā)布的《中國半導體存儲器行業(yè)發(fā)展趨勢調研與投資前景預測報告（2024-2031年）》顯示，半導體存儲器是進(jìn)行信息存儲的關(guān)鍵器件，應用范圍較廣泛，可以應用于多數現代電子產(chǎn)品中，是市場(chǎng)占比較高的基礎性存儲產(chǎn)品。
隨著(zhù)AI的大規模普及，半導體行業(yè)市場(chǎng)迎來(lái)了新的浪潮，受到大模型時(shí)代的高算力、大存儲的現實(shí)需求推動(dòng)，下游市場(chǎng)復蘇疊加AI浪潮驅動(dòng)，將GPU及存儲需求迅速提升。
數據顯示，2023年全球半導體存儲器市場(chǎng)規模約為903.7億美元，較上年同比下降35.1%；預計2024年全球半導體存儲器市場(chǎng)規模達1529億美元，較上年同比增長(cháng)69.2%。
數據來(lái)源：觀(guān)研天下數據中心整理
從地區發(fā)展情況看，隨著(zhù)半導體產(chǎn)業(yè)鏈向中國轉移，中國成為全球半導體存儲器第一大市場(chǎng)，占比接近30%；其次是美國和歐洲，占比16%、12%。
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二、半導體存儲器分為兩大類(lèi)，目前DRAM和NAND Flash為市場(chǎng)主流
根據功能性及使用的主要存儲芯片類(lèi)型不同，半導體存儲器分為易失性存儲器（簡(jiǎn)稱(chēng)RAM）和非易失性存儲器（簡(jiǎn)稱(chēng)ROM）。
RAM可分為靜態(tài)隨機存儲器（簡(jiǎn)稱(chēng)SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機存儲器（簡(jiǎn)稱(chēng)DRAM）兩類(lèi)，SRAM 不需要周期性地刷新，速度比較快，但成本也較高，是利基存儲；DRAM需要周期性地刷新，速度較慢，但成本較低，是大宗存儲。
ROM主要包括掩膜型只讀存儲器、可編程只讀存儲器、快閃存儲器（簡(jiǎn)稱(chēng)Flash）?？扉W存儲器的主流產(chǎn)品為NOR Flash 和NAND Flash，其中NAND 是大宗存儲，NOR 是利基存儲。
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目前全球半導體存儲器以DRAM和NAND Flash為主，總占比達97%，分別占比61%、36%。除得益于技術(shù)發(fā)展外，DRAM和NAND Flash分別受存儲容量擴大和存儲成本不斷優(yōu)化驅動(dòng)。
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三、全球半導體存儲器行業(yè)競爭高度集中，中國企業(yè)布局腳步加快
全球半導體存儲器行業(yè)競爭高度集中。在DRAM市場(chǎng)中，2023年三星、SK海力士和美光三大巨頭總市場(chǎng)份額達96%，分別占比41.4%、31.7%、22.9%;在NAND Flash市場(chǎng)中，三星、海力士、鎧俠、西部數據和美光五大企業(yè)占據主導地位，總市場(chǎng)份額接近95%;在NOR Flash市場(chǎng)中，兆易創(chuàng )新等國內企業(yè)也在積極布局。
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與國外企業(yè)相比，中國企業(yè)起步較晚，發(fā)展空間較大。隨著(zhù)全球化的競爭格局的加劇，中國的半導體存儲器行業(yè)發(fā)展必須更加注重創(chuàng )新和研發(fā)，向著(zhù)高端制造和設計的方向發(fā)展，才能夠在行業(yè)中贏(yíng)得更大的話(huà)語(yǔ)權。
我國半導體存儲器行業(yè)代表企業(yè)布局情況
| 企業(yè)名稱(chēng) | 布局情況 |
| 兆易創(chuàng )新 | 存儲器方面，公司為大陸存儲芯片龍頭生產(chǎn)商，產(chǎn)品線(xiàn)Nor+NAND+DRAM全覆蓋，其中Nor全球第三、大陸第一。此外，兆易創(chuàng )新是國內MCU龍頭。車(chē)載存儲龍頭生產(chǎn)商之一，有高速低功耗SRAM，低中密度 |
| 北京君正 | DRAM,NOR/NANDFlash，嵌入式Flash pFusion，及eMMC等芯片產(chǎn)品。其收購的北京矽成(控股美國ISSI存儲)在汽車(chē)DRAM領(lǐng)域，美光占據45%居全球第一，北京矽成占據15%居全球第二。 |
| 聚辰股份 | 提供存儲、模擬和混合信號集成電路產(chǎn)品并提供應用解決方案和技術(shù)支持服務(wù)。公司目前擁有EEPROM、音圈馬達驅動(dòng)芯片和智能卡芯片三條主要產(chǎn)品線(xiàn)。 |
| 紫光國微 | 公司存儲器芯片業(yè)務(wù)由參股子公司紫光國芯承擔。紫光國芯主要從事存儲器設計開(kāi)發(fā)、自有品牌存儲器芯片產(chǎn)品銷(xiāo)售，以及集成電路設計開(kāi)發(fā)、測試服務(wù)，建設了完整先進(jìn)的DRAM存儲器測試分析工程中心，同時(shí)擁有世界主流動(dòng)態(tài)隨機存儲器和閃存存儲器設計開(kāi)發(fā)技術(shù)和經(jīng)驗。 |
| 復旦微電 | 復旦微電的存儲芯片產(chǎn)品線(xiàn)可提供多種接口、各型封裝、全面容量、高性?xún)r(jià)比的非揮發(fā)存儲器產(chǎn)品，目前主要產(chǎn)品為EEPROM 存儲器、NOR Flash 存儲器和SLC NAND Flash存儲器，具有多種容量、接口和封裝形式，整體市場(chǎng)份額居國內前列。 |
| 長(cháng)鑫存儲 | 一體化存儲器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM產(chǎn)品廣泛應用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。 |
| 長(cháng)江存儲 | 專(zhuān)注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲器解決方案。 |
| 普冉股份 | 公司主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大類(lèi)非易失性存儲器芯片 |
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