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    三星、英特爾等廠(chǎng)商宣布關(guān)廠(chǎng)、停產(chǎn) 全球晶圓制造行業(yè)市場(chǎng)蒙上一層陰影

    前言:

    由于全球半導體市場(chǎng)需求增速放緩、建設成本高、政策/補貼充滿(mǎn)變數等因素影響,導致頭部晶圓制造廠(chǎng)商關(guān)廠(chǎng)、延遲建廠(chǎng)、停產(chǎn)等,這也是行業(yè)當前困局的一個(gè)縮影。因此,如何在快速變化的市場(chǎng)中找到新的定位與出路,成為每一家企業(yè)必須面對的命題。

    1、晶圓制造特點(diǎn)簡(jiǎn)析

    晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種,然后慢慢拉出,形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過(guò)研磨,拋光,切片后,形成硅晶圓片,也就是晶圓。

    根據觀(guān)研報告網(wǎng)發(fā)布的《中國晶圓制造行業(yè)現狀深度研究與未來(lái)前景預測報告(2025-2032年)》顯示,晶圓制造是涉及尖端技術(shù)突破、巨額資本投入、強周期波動(dòng)和地緣政治博弈的超復雜系統工程。在超技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)特征方面,每代技術(shù)升級都需要突破當前的物理極限,涉及多學(xué)科合作,同時(shí)具有極高的技術(shù)壁壘,包括成千上萬(wàn)的專(zhuān)利、多年工藝know-how積累以及多設備-工藝融合。

    晶圓制造的行業(yè)特點(diǎn)

    維度

    關(guān)鍵特征

    具體表現

    技術(shù)密集性

    制程技術(shù)代際競爭

    臺積電3nm研發(fā)投入超50億美元

    跨學(xué)科協(xié)同創(chuàng )新

    單廠(chǎng)專(zhuān)利數>2000

    專(zhuān)利護城河構建

    工程師培養周期8-10

    資本密集性

    建廠(chǎng)成本指數級增長(cháng)

    3nm晶圓廠(chǎng)建設成本>200億美元

    設備投資主導

    光刻機單臺成本1.5-2億美元

    折舊壓力顯著(zhù)

    折舊占成本比重35%-40%

    周期波動(dòng)性

    三重周期疊加共振

    完整周期3-5

    價(jià)格彈性劇烈

    代工價(jià)格年波動(dòng)±40%

    產(chǎn)能利用率敏感

    產(chǎn)能利用率臨界值85%

    資料來(lái)源:觀(guān)研天下整理

    2、全球晶圓制造行業(yè)規模穩定上升,市場(chǎng)份額主要集中于韓美等企業(yè)

    近年來(lái),全球晶圓制造行業(yè)市場(chǎng)規模穩定上升,截止2023年約為6139億美元。同時(shí),全球主要晶圓制造企業(yè)大部分集中于中國臺灣、韓國、美國等地區,優(yōu)勢企業(yè)包括臺積電、三星、Inter、Global Foundries等,行業(yè)整體呈現出較高的市場(chǎng)集中度,少數幾家大型企業(yè)占據大部分市場(chǎng)份額。

    近年來(lái),全球晶圓制造行業(yè)市場(chǎng)規模穩定上升,截止2023年約為6139億美元。同時(shí),全球主要晶圓制造企業(yè)大部分集中于中國臺灣、韓國、美國等地區,優(yōu)勢企業(yè)包括臺積電、三星、Inter、Global Foundries等,行業(yè)整體呈現出較高的市場(chǎng)集中度,少數幾家大型企業(yè)占據大部分市場(chǎng)份額。

    數據來(lái)源:觀(guān)研天下整理

    3、多家晶圓制造廠(chǎng)商減產(chǎn)或停產(chǎn),市場(chǎng)蒙上一層陰影

    不過(guò),回顧2024年,全球多家晶圓制造廠(chǎng)商紛紛發(fā)布產(chǎn)線(xiàn)停工、晶圓廠(chǎng)建設延遲或關(guān)廠(chǎng)等一系列消息,不斷調整晶圓廠(chǎng)建設速度和節奏,給市場(chǎng)蒙上一層陰影。

    例如,英特爾的多個(gè)晶圓項目受阻。2022年1月,英特爾宣布初始投資超200億美元建設兩家新晶圓廠(chǎng),原計劃2025年開(kāi)始芯片制造,但受市場(chǎng)需求低迷和美國補貼發(fā)放延遲影響,目前Fab1和Fab2兩座工廠(chǎng)推遲至2026-2027年完工,2027-2028年正式投運。有消息人士稱(chēng),英特爾已部分暫停在馬來(lái)西亞檳城新芯片封裝和測試項目,該項目是2021年宣布的70億美元投資的一部分,英特爾承諾在10年內投資70億美元。創(chuàng )建兩年多的檳城封測廠(chǎng)計劃在去年12月正式停止,大半到美國受訓的工程師被遣散。

    三星本土與海外工廠(chǎng)均延期。2024年10月,三星電子已經(jīng)決定關(guān)閉其平澤二期(P2)和三期(P3)晶圓廠(chǎng)約30%的4nm、5nm和7nm生產(chǎn)線(xiàn)。在美國得克薩斯州泰勒的新半導體工廠(chǎng),量產(chǎn)時(shí)間也是一推再推。三星原本計劃為在建的平澤P4和P5晶圓廠(chǎng)安裝設備的計劃也預計推遲到2026年。

    全球主要晶圓制造廠(chǎng)商產(chǎn)能減產(chǎn)、停產(chǎn)概況

    廠(chǎng)商名稱(chēng)

    產(chǎn)能減產(chǎn)、停產(chǎn)概況

    三星

    202410月,三星電子已經(jīng)決定關(guān)閉其平澤二期(P2)和三期(P3)晶圓廠(chǎng)約30%4nm、5nm7nm生產(chǎn)線(xiàn)。在美國得克薩斯州泰勒的新半導體工廠(chǎng),量產(chǎn)時(shí)間也是一推再推。三星原本計劃為在建的平澤P4P5晶圓廠(chǎng)安裝設備的計劃也預計推遲到2026年。

    英特爾

    目前Fab1Fab2兩座工廠(chǎng)推遲至2026-2027年完工,2027-2028年正式投運。有消息人士稱(chēng),英特爾已部分暫停在馬來(lái)西亞檳城新芯片封裝和測試項目,該項目是2021年宣布的70億美元投資的一部分,英特爾承諾在10年內投資70億美元。創(chuàng )建兩年多的檳城封測廠(chǎng)計劃在去年12月正式停止,大半到美國受訓的工程師被遣散。

    GlobalFoundries

    GlobalFoundries與意法半導體共同投資75億歐元在法國新建的12英寸晶圓半導體制造工廠(chǎng)項目,已經(jīng)被擱置。

    Wolfspeed

    Wolfspeed決定將其位于得克薩斯州達拉斯郊外的工廠(chǎng)關(guān)閉,通過(guò)掛牌的方式將其出售。

    Microchip

    2024年底,Microchip宣布要在今年關(guān)閉位于美國的坦佩(Tempe)的半導體工廠(chǎng)

    住友電工

    2023年,日本住友電工宣布計劃總投資300億日元興建SiC晶圓新廠(chǎng),預計2027年投產(chǎn),同時(shí)兵庫縣伊丹市工廠(chǎng)的新產(chǎn)線(xiàn)也計劃于2027年投產(chǎn),合計建置年產(chǎn)18萬(wàn)片的SiC晶圓產(chǎn)能,但在2024年宣布正式取消。

    資料來(lái)源:觀(guān)研天下整理

    在市場(chǎng)景氣的時(shí)候,企業(yè)通過(guò)融資、自有資金等方式勉強支撐項目的推進(jìn)。但當前市場(chǎng)不景氣,部分晶圓制造企業(yè)的營(yíng)收和利潤受到嚴重影響,如2023年格羅方德晶圓總營(yíng)收73.92億美元。

    在市場(chǎng)景氣的時(shí)候,企業(yè)通過(guò)融資、自有資金等方式勉強支撐項目的推進(jìn)。但當前市場(chǎng)不景氣,部分晶圓制造企業(yè)的營(yíng)收和利潤受到嚴重影響,如2023年格羅方德晶圓總營(yíng)收73.92億美元。

    數據來(lái)源:觀(guān)研天下整理

    4、市場(chǎng)需求增速放緩、成本高等因素致晶圓制造廠(chǎng)商停產(chǎn)原因

    那么是什么導致晶圓制造廠(chǎng)商減產(chǎn)、停產(chǎn)呢?通過(guò)分析可知,半導體市場(chǎng)需求增速放緩、建設成本高、政策/補貼充滿(mǎn)變數等因素是致晶圓制造廠(chǎng)商停產(chǎn)原因。

    全球晶圓制造廠(chǎng)商停產(chǎn)原因簡(jiǎn)析

    原因

    簡(jiǎn)析

    市場(chǎng)需求增速放緩

    近年來(lái),全球消費電子市場(chǎng)逐漸飽和,半導體的需求產(chǎn)生直接沖擊,導致對芯片的需求減少,使得晶圓制造廠(chǎng)商面臨著(zhù)庫存積壓的困境。雖然人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車(chē)等新興領(lǐng)域對半導體需求在不斷增長(cháng),但當前這些領(lǐng)域的需求規模還不足以彌補傳統領(lǐng)域需求的下滑,難以支撐半導體行業(yè)高速增長(cháng)。

    建設和運營(yíng)晶圓廠(chǎng)的成本高

    以臺積電在美國亞利桑那州建設的晶圓廠(chǎng)為例,采用5nm制程工藝,月產(chǎn)能為2萬(wàn)片晶圓,總投資卻高達120億美元。除了設備采購成本,人力成本也是一筆不小的開(kāi)支。晶圓廠(chǎng)需要大量的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人才,從工程師到技術(shù)工人,人力成本在運營(yíng)成本中所占的比例相當高。而且,隨著(zhù)技術(shù)的不斷進(jìn)步,對人才的要求也越來(lái)越高,這也導致人力成本的持續上升。此外,原材料價(jià)格的波動(dòng)也給晶圓廠(chǎng)帶來(lái)成本壓力。

    政策/補貼充滿(mǎn)變數

    近年來(lái),各國半導體相關(guān)政策和補貼計劃的不確定性,也在很大程度上影響半導體廠(chǎng)商的決策。以美國的《芯片與科學(xué)法案》為例,雖然該法案提供高達527億美元的補貼,但申請條件苛刻,審批流程繁瑣。企業(yè)需要滿(mǎn)足一系列的要求,才能獲得補貼。而且,補貼的發(fā)放時(shí)間也不確定,這使得企業(yè)在制定投資計劃時(shí)面臨著(zhù)很大的風(fēng)險。

    地緣政治緊張局勢加劇

    國際間貿易摩擦、科技競爭,讓半導體企業(yè)面臨著(zhù)巨大的壓力。企業(yè)擔心未來(lái)的貿易政策會(huì )發(fā)生變化,影響到自己的供應鏈安全和市場(chǎng)份額。

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    全球光刻材料行業(yè)迎來(lái)復蘇跡象 我國國產(chǎn)化戰略持續深化

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    光刻材料市場(chǎng)需求與集成電路發(fā)展緊密相關(guān)。近年來(lái)全球及中國集成電路市場(chǎng)規模持續擴大,尤其是在5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)的推動(dòng)下,集成電路在通信、計算機、消費電子等領(lǐng)域的應用日益廣泛。而中國作為全球最大的集成電路市場(chǎng)之一,其銷(xiāo)售額持續增長(cháng),預計未來(lái)幾年市場(chǎng)規模將繼續擴大。根據數據顯示,2023年我國集成電路產(chǎn)量為3514

    2025年05月21日
    我國硅光芯片行業(yè)分析:5G基站、AI算力等領(lǐng)域發(fā)展 刺激市場(chǎng)需求釋放

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    基站前傳是移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò )中連接基帶處理單元與遠端射頻單元的關(guān)鍵鏈路,需滿(mǎn)足高帶寬、低時(shí)延、高可靠性和低成本等要求。硅光芯片在基站側可實(shí)現前傳鏈路光互聯(lián),降低功耗并支持毫米波與光傳輸混合調度。目前,華為已實(shí)現硅光技術(shù)在5G基站中的規?;瘧?,未來(lái)6G網(wǎng)絡(luò )將進(jìn)一步依賴(lài)硅光技術(shù)實(shí)現超高速率與低延遲傳輸。

    2025年05月16日
    下游應用多點(diǎn)開(kāi)花 我國熔斷器行業(yè)正處于加速追趕期 貿易逆差額大幅縮小

    下游應用多點(diǎn)開(kāi)花 我國熔斷器行業(yè)正處于加速追趕期 貿易逆差額大幅縮小

    作為電路系統核心保護器件,熔斷器下游應用多點(diǎn)開(kāi)花。其中新能源汽車(chē)、風(fēng)電、光伏、儲能等新能源產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展為熔斷器行業(yè)帶來(lái)廣闊新興增量需求。在下游行業(yè)發(fā)展帶動(dòng)下,我國熔斷器行業(yè)近年來(lái)呈現出強勁的發(fā)展態(tài)勢,市場(chǎng)規模不斷擴容。此外我國熔斷器行業(yè)起步較晚,目前處于加速追趕期,市場(chǎng)呈現出外資品牌為主導,國產(chǎn)廠(chǎng)商不斷追趕的局面。

    2025年05月16日
    我國硅光模塊行業(yè)競爭分析:頭部企業(yè)已逐漸完成全產(chǎn)業(yè)鏈布局 且陸續量產(chǎn)出貨

    我國硅光模塊行業(yè)競爭分析:頭部企業(yè)已逐漸完成全產(chǎn)業(yè)鏈布局 且陸續量產(chǎn)出貨

    我國硅光模塊產(chǎn)業(yè)鏈已形成從芯片設計、器件供應到模塊制造的全鏈條布局,包括中際旭創(chuàng )、新易盛、光迅科技、華工科技、享通光電、博創(chuàng )科技、德科立等光模塊均在布局硅光技術(shù)。

    2025年05月15日
    全球AMHS行業(yè)增長(cháng)勢頭強勁 中國市場(chǎng)高速擴張 本土企業(yè)正加速追趕以打破日企壟斷

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    晶圓尺寸的發(fā)展推動(dòng)AMHS系統持續迭代,AMHS由早期機械搬運向智能一體化轉型。隨著(zhù)全球產(chǎn)業(yè)競爭熱化與先進(jìn)制程工藝愈趨復雜,AMHS行業(yè)展現出強勁增長(cháng)勢頭。中國大陸在半導體產(chǎn)業(yè)的崛起以及工業(yè)智能化的持續推進(jìn)下,AMHS市場(chǎng)也高速擴張,規模增速已超過(guò)全球。

    2025年05月14日
    我國已成為全球最大薄膜電容器市場(chǎng) 高端國產(chǎn)化進(jìn)程加速

    我國已成為全球最大薄膜電容器市場(chǎng) 高端國產(chǎn)化進(jìn)程加速

    受益于光伏、風(fēng)電、新能源汽車(chē)等新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,近年來(lái)我國薄膜電容器行業(yè)迎來(lái)快速增長(cháng)期,市場(chǎng)規模提速擴容,且增幅明顯高于全球市場(chǎng)。中國全球薄膜電容器市場(chǎng)領(lǐng)先地位確立。當前我國薄膜電容器整體國產(chǎn)化率較高,但在高端市場(chǎng)仍由國外企業(yè)主導。為突破高端市場(chǎng)瓶頸,國內領(lǐng)先企業(yè)正從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節發(fā)力……

    2025年05月14日
    我國電子測量?jì)x器行業(yè)增速快于全球 迎政策機遇 本土企業(yè)開(kāi)拓中高端市場(chǎng)成效顯著(zhù)

    我國電子測量?jì)x器行業(yè)增速快于全球 迎政策機遇 本土企業(yè)開(kāi)拓中高端市場(chǎng)成效顯著(zhù)

    通信、消費電子、汽車(chē)為國內電子測量?jì)x器三大應用場(chǎng)景,總占比接近90%。近年來(lái),伴隨我國電子信息制造效益持續向好、消費電子市場(chǎng)景氣度呈現復蘇態(tài)勢、新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展壯大,我國電子測量?jì)x器快速擴張,市場(chǎng)增速快于全球。

    2025年05月13日
    三大驅動(dòng)力為汽車(chē)電子行業(yè)注入強勁動(dòng)力 市場(chǎng)呈現智能化、網(wǎng)聯(lián)化、集成化等新趨勢

    三大驅動(dòng)力為汽車(chē)電子行業(yè)注入強勁動(dòng)力 市場(chǎng)呈現智能化、網(wǎng)聯(lián)化、集成化等新趨勢

    汽車(chē)電子是汽車(chē)車(chē)身的重要組成部分,是構成汽車(chē)的駕駛艙和客艙的重要零部件。汽車(chē)電子處于產(chǎn)業(yè)鏈中游的零部件制造領(lǐng)域,是汽車(chē)制造的重要環(huán)節。目前我國是全球最大汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)國,為汽車(chē)電子行業(yè)帶來(lái)廣闊的發(fā)展空間。

    2025年05月12日
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